图2-12中主电路结构与其他变频器有所不同。三相整流桥的3个上桥臂是由3只单向
晶闸管组成的，省去了充电电阻和充电接触器，增加了R1 ,  VD1变频器上电时的预充电电
路。在对直流回路储能电容器的充电控制上，也有其新的特点。控制机理如下:变频器上电
瞬间，三相整流桥的上三桥臂晶闸管，因无触发电流而关断;R1, FU1, VD1将R相输人
交流电整流成正半波电压，经P0,  P1端子给直流回路的储能电容器充电。在电容器建立起
充电电压后，变频器的开关电源电路起振，由开关变压器DT1的二次绕组感应电压，经
VD7 , DC31整流滤波后，作为晶闸管触发电路的隔离直流电源。多谐振荡器DU2开始工
作。此时CPU检测由直流回路来的电压检测信号，判断储能电容上电压达到一定幅值时，
输出一个晶闸管控制信号，控制光祸合器DPH2导通，将振荡信号由DU2的3脚引人到晶
体管.V T22的基极，进而驱动功率管VT3导通，将触发信号同时加到3只晶闸管的栅极和阴
极，3只晶闸管全部导通，输人电路由半波整流电路转化为三相桥式整流电路，预充电过程
结束，变频器进人待机状态。
    触发电路相对简单，既非移相电路也非过零触发电路，振荡电路输出占空比达90%以
上的矩形脉冲，几乎在任意时间内都将触发信号送到3只晶闸管的触发极。可以说，变频器
在上电后，一旦DPH2受CPU控制而导通，3只晶闸管也即随时处于导通状态下，同3只普
通整流二极管相差不大。
    晶闸管的意思:可控的硅整流器，其整流输出电压是受控的，常与移相或过零触发电路
配合，应用于交、直流调压电路。晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种集成式半导体器
件。单向晶闸管的等效原理及测量电路如图2-13所示。
    晶闸管为具有3个PN结的4层结构，由最外层的P层、N层引出两个电极—阳极A
和阴极K，由中间的P层引出门极G。电路符号好像为一只二极管，但多一个引出电极—
门极或触发极Go SCR或MCR为晶闸管英文缩写名称。
    从控制原理上晶闸管可等效为一只PNP晶体管与一只NPN晶体管的连接电路，两管的
基极电流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反馈作用。一旦从G,  K回路输人NPN管
的基极电流，由于正反馈作用，两管将迅速进人饱和导通状态。晶闸管导通之后，它的导通
状态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流(电压)消失，晶闸管仍处于
导通状态。控制信号UGK的作用仅仅是触发晶闸管使其导通，导通之后，控制信号便失去控
制作用。
    单向晶闸管的导通需要两个条件:A,  K之间加正向电压;G, K之间输人一个正向触
发电流信号，无论是直流或脉冲信号。欲使晶闸管关断，也有两个关断条件:使正向导通电
流值小于其工作维持电流值;使A,  K之间电压反向。
    可见，晶闸管若用于直流电路，一旦为触发信号导通，并保持一定幅度的流通电流的
话，则晶闸管会一直保持导通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。若用于交流电
路，则在其承受正向电压期间，若接收一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到
来，因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间，即使送人触发信号，晶闸管也因A,
K间的电压反向，而保持于关断状态。
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